最高のトランジスタ回路。 強力なトランジスタアンプ。 umzchの電源

• 20.09.2014

  表面実装用の受動部品の定格は、特定の基準に従ってマークされており、ケースに印刷されている番号に直接対応していません。 この記事では、これらの標準を紹介し、チップコンポーネントを交換する際の間違いを回避するのに役立ちます。 最新の電子機器およびコンピューター機器の製造の基礎は、表面実装技術またはSMT技術（SMT-表面実装技術）です。 ..。

• 21.09.2014

  この図は、555ICの単純なタッチスイッチの図を示しています。555タイマーはコンパレータモードで動作します。 プレートが接触すると、コンパレータが切り替わり、コンパレータがオープンコレクタトランジスタVT1を制御します。 外部負荷は、外部または内部電源、外部電源からの電源で「オープン」コレクターに接続できます。

• 12.12.2015

  ダイナミックマイク用のプリアンプは、uA739デュアルチャンネルオペアンプを使用しています。 両方のプリアンプチャンネルは同じであるため、図には1つだけが示されています。 抵抗R1とR4（分圧器）によって設定されるオペアンプの非反転入力に50％の電源電圧が印加され、この電圧は2つのアンプチャネルによって同時に使用されます。 R3C3回路は...

• 23.09.2014

  静的表示のある時計は、動的表示に比べてインジケーターの輝きが明るくなります。このような時計の図を図1に示します。K176ID2デコーダーはインジケーター制御デバイスとして使用され、このマイクロ回路は十分に高い輝度を提供します。 LEDインジケータの。 K561IE10マイクロ回路はカウンターとして使用され、それぞれに20aの4ビットが含まれています...

サイト「TwoSchemes」の編集者は、MOSFETトランジスタをベースにしたシンプルでありながら高品質の低周波増幅器を紹介しています。 その回路はすでに20年前のものであるため、アマチュア無線家やオーディオファンにはよく知られているはずです。この回路は有名なアンソニーホルトンの開発であるため、ULFホルトンと呼ばれることもあります。 音響増幅システムは、0.1％を超えない低調波歪みを持ち、負荷あたりの電力は約100ワットです。

このアンプは、人気のあるTDAシリーズアンプや同様のポップアンプの代替品です。わずかに高いコストで、明らかにより優れた特性を備えたアンプを入手できるためです。

このシステムの大きな利点は、そのシンプルな設計と2つの安価なMOSFETで構成される出力段です。 アンプは4オームと8オームの両方のスピーカーで動作します。 起動時に行う必要がある唯一の設定は、出力トランジスタの静止電流値を設定することです。

UMZCHホルトンの概略図

ホルトンMOSFETアンプ-回路

この回路は古典的な2段増幅器であり、差動入力増幅器と平衡型電力増幅器で構成され、1対の電力トランジスタが動作します。 システム図は上に示されています。

プリント回路基板

ULFプリント回路基板-完成図

これはPCBのPDFファイルを含むアーカイブです-。

アンプの原理

トランジスタT4（BC546）およびT5（BC546）は差動増幅器構成で動作し、トランジスタT7（BC546）、T10（BC546）および抵抗R18（22kΩ）、R20に基づいて構築された電流源から電力を供給されるように設計されています。 （680オーム）とR12（22部屋）。 入力信号は、R6（470オーム）とC6（1 nf）の要素で構成されたローパスフィルターの2つのフィルターに送られます。信号の高周波成分を制限し、C5（ 1μF）、R6およびR10（47 kOhm）、低周波数での信号成分を制限します。

差動アンプには、抵抗R2（4.7kΩ）とR3（4.7kΩ）が搭載されています。 トランジスタT1（MJE350）とT2（MJE350）は別の増幅段であり、その負荷はトランジスタT8（MJE340）、T9（MJE340）、T6（BD139）です。

コンデンサC3（33pF）およびC4（33pF）は、アンプの励起を打ち消します。 R13（10kΩ/ 1 V）と並列のコンデンサC8（10 nF）は、ULFの過渡応答を改善します。これは、急速に上昇する入力信号にとって重要です。

トランジスタT6は、エレメントR9（4.7オーム）、R15（680オーム）、R16（82オーム）、およびPR1（5オーム）とともに、静止時のアンプ出力段の正しい極性を設定できます。 ポテンショメータを使用して、出力トランジスタの静止電流を90〜110 mA以内に設定する必要があります。これは、R8（0.22オーム/ 5 W）とR17（0.22オーム/ 5 W）の両端の電圧降下に対応します。 mV。 アンプの総静止電流消費量は130mAの範囲である必要があります。

アンプの出力素子は、MOSトランジスタT3（IR​​FP240）とT11（IRFP9240）です。 これらのトランジスタは、最大出力電流が大きい電圧フォロワとして取り付けられているため、最初の2段は出力信号に対して十分に大きな振幅をスイングする必要があります。

抵抗R8とR17は主に、回路に干渉することなくパワーアンプトランジスタの静止電流を迅速に測定するために使用されました。 また、トランジスタのオープンチャネルの抵抗が異なるため、システムをもう1組のパワートランジスタに拡張する場合にも役立ちます。

抵抗R5（470オーム）およびR19（470オーム）は、パススルートランジスタの静電容量の充電率を制限するため、増幅器の周波数範囲を制限します。 ダイオードD1-D2（BZX85-C12V）はパワートランジスタを保護します。 それらを使用すると、トランジスタの電源に対する起動時の電圧は12Vを超えてはなりません。

アンプボードは、パワーフィルタコンデンサC2（4700μF/ 50 V）およびC13（4700μF/ 50 V）用の場所を提供します。

MOSFET上の自家製トランジスタULF

コントロールは、エレメントR1（100オーム/ 1 V）、C1（220μF/ 50 V）、R23（100オーム/ 1 V）、およびC12（220μF/ 50 V）に組み込まれた追加のRCフィルターを介して給電されます。

UMZCHの電源

増幅器回路は、600 mVの領域の入力電圧と4オームの負荷抵抗で、実際の100ワット（実効正弦波）に達する電力を提供します。

詳細を搭載したHoltonアンプ

推奨される変圧器は、電圧2x24Vの200Wトロイドです。整流と平滑化の後、パワーアンプの2極電源を+/- 33ボルトの領域で取得する必要があります。 ここで紹介する設計は、スタンドアロンユニットまたはセットとして使用できるMOSFETをベースにした非常に優れた性能のモノアンプモジュールです。

低周波増幅器（ULF）は、主にオーディオ範囲の弱い信号を、電気力学または他のサウンドエミッターを介した直接知覚に受け入れられるより強力な信号に変換するために使用されます。

10〜100 MHzの周波数までの高周波増幅器は同様のスキームに従って構築されていることに注意してください。すべての違いは、ほとんどの場合、そのような増幅器のコンデンサの容量値が何倍も減少するという事実に帰着します。高周波信号の周波数が低周波信号の周波数を超えています。

シンプルなシングルトランジスタアンプ

エミッタ接地回路に従って作られた最も単純なULFを図に示します。 1.電話カプセルを荷物として使用します。 このアンプの許容電源電圧は3〜12Vです。

バイアス抵抗R1の値（数十kΩ）は、増幅器の供給電圧、電話カプセルの抵抗、および特定のトランジスタインスタンスの透過係数に依存するため、実験的に決定することが望ましいです。

米。 1.1つのトランジスタ+コンデンサと抵抗での単純なULFのスキーム。

抵抗R1の初期値を選択するには、その値が負荷回路に含まれる抵抗の約100倍以上であることを考慮に入れる必要があります。 バイアス抵抗を選択するには、抵抗が20〜30 kOhmの定抵抗器と、抵抗が100〜1000 kOhmの可変抵抗器を順番に含めてから、小振幅のオーディオ信号を印加することをお勧めします。たとえば、テープレコーダーやプレーヤーからのアンプ入力に対して、可変抵抗ノブを回して、最大音量で最高の信号品質を実現します。

遷移コンデンサC1（図1）の静電容量の値は、1〜100μFの範囲にすることができます。この静電容量の値が大きいほど、ULFが増幅できる周波数は低くなります。 低周波数を増幅する技術を習得するには、要素の公称値と増幅器の動作モードの選択を実験することをお勧めします（図1-4）。

改善されたシングルトランジスタアンプオプション

図1の回路と比較して複雑で改善されています。 1つの増幅回路を図1に示します。 図2と3。 図２に示されるように、増幅段は、周波数に依存する負帰還のチェーン（抵抗器Ｒ２およびコンデンサーＣ２）をさらに含み、これは、信号の品質を改善する。

米。 2.周波数依存の負帰還回路を備えたシングルトランジスタULFのスキーム。

米。 3.トランジスタのベースにバイアス電圧を供給するための分圧器を備えたシングルトランジスタアンプ。

米。 4.トランジスタのベースに自動バイアス設定を備えたシングルトランジスタアンプ。

図の図では。 図３に示されるように、トランジスタのベースへのバイアスは、その動作条件が変化したときの増幅器の品質を改善する分周器の助けを借りて、より「厳密に」設定される。 増幅トランジスタに基づくバイアスの「自動」設定は、図1の回路で使用されています。 4.4。

2段トランジスタアンプ

最も単純な2つの増幅段を直列に接続することで（図1）、2段のULFを得ることができます（図5）。 このような増幅器のゲインは、個々のステージのゲインの積に等しくなります。 ただし、その後ステージ数を増やして大きな持続ゲインを得るのは容易ではありません。アンプは自己励起する可能性があります。

米。 5.シンプルな2段ベースアンプのスキーム。

近年、雑誌のページで回路が頻繁に引用されている低周波増幅器の新しい開発は、最小の高調波歪みの達成、出力電力の増加、増幅される周波数帯域の拡大などの目標を追求しています。

同時に、さまざまなデバイスをセットアップして実験を行う場合、数分で組み立てることができる単純なULFが必要になることがよくあります。 このようなアンプは、最小限の数の欠陥要素を含み、広範囲の供給電圧と負荷抵抗の変動に対して動作する必要があります。

電界効果トランジスタとシリコントランジスタのULF回路

ステージ間に直接接続された単純なLFパワーアンプの図を図に示します。 6 [Rl 3 / 00-14]。 増幅器の入力インピーダンスは、ポテンショメータR1の値によって決定され、数百オームから数十メガオームまで変化する可能性があります。 アンプの出力は、インピーダンスが2〜4〜64オーム以上の負荷に接続できます。

高抵抗負荷の場合、KT315トランジスタをVT2として使用できます。 アンプは3〜15 Vの電源電圧の範囲で動作しますが、電源電圧を0.6Vに下げても許容できる動作性は維持されます。

C1コンデンサの静電容量は1〜100μFの範囲で選択できます。 後者の場合（C1 =100μF）、ULFは50 Hz〜200kHz以上の周波数範囲で動作できます。

米。 6.2つのトランジスタ上の低周波数の単純な増幅器のスキーム。

ULF入力信号の振幅は0.5〜0.7 Vを超えてはなりません。増幅器の出力電力は、負荷抵抗と電源電圧の大きさに応じて、数十mWから単位Wまで変化する可能性があります。

アンプのチューニングは、抵抗R2とR3の選択で構成されます。 彼らの助けを借りて、トランジスタVT1のドレインの電圧は、電源電圧の50〜60％に等しく設定されます。 トランジスタVT2はヒートシンクプレート（ヒートシンク）に取り付ける必要があります。

直接結合追跡ULF

図では。 図７は、ステージ間に直接接続された、一見単純に見える別のＵＬＦの図を示している。 この種の結合により、低周波数範囲でのアンプの周波数応答が改善され、回路全体が簡素化されます。

米。 7.ステージ間に直接接続された3ステージULFの概略図。

同時に、各アンプのインピーダンスを個別に選択する必要があるため、アンプのチューニングは複雑になります。 抵抗R2とR3、R3とR4、R4とR BFの比率はおおよそ（30 ... 50）対1の範囲内である必要があります。抵抗R1は0.1 ... 2kOhmである必要があります。 図に示す増幅器の計算。 7は、たとえば[P 9 / 70-60]などの文献に記載されています。

バイポーラトランジスタ上のカスケードULF回路

図では。 図８および９は、カスコードＵＬＦバイポーラトランジスタの図を示している。 そのようなアンプはかなり高いゲインKuを持っています。 図のアンプ。 8は、30 Hz〜120kHzの周波数範囲でKu = 5です[MK2 / 86-15]。 図のスキームに従ったULF。 高調波係数が1％未満の9のゲインは100 [RL 3 / 99-10]です。

米。 8.ゲイン= 5の2つのトランジスタでULFをカスケードします。

米。 9.ゲイン= 100の2つのトランジスタでULFをカスケードします。

3つのトランジスタの経済的なULF

ポータブル電子機器の場合、重要なパラメータはULFの効率です。 このようなULFの図を図1に示します。 10 [RL 3 / 00-14]。 ここでは、電界効果トランジスタＶＴ１とバイポーラトランジスタＶＴ３とのカスケード接続を使用し、動作点ＶＴ１とＶＴ３を安定させるようにトランジスタＶＴ２をオンにする。

入力電圧が増加すると、このトランジスタはエミッタ-ベース遷移VT3をシャントし、トランジスタVT1とVT3を流れる電流の値を減らします。

米。 10.3つのトランジスタを備えたシンプルで経済的なベースアンプのスキーム。

上記の回路（図6を参照）と同様に、このULFの入力インピーダンスは数十オームから数十MΩの範囲で設定できます。 TK-67やTM-2Vなどの電話カプセルを負荷として使用しました。 プラグで接続された電話カプセルは、同時に回路の電源スイッチとしても機能します。

ULFの供給電圧は1.5〜15 Vですが、供給電圧が0.6 Vに低下してもデバイスは動作し続けます。2〜15 Vの供給電圧範囲では、アンプが消費する電流は次のように表されます。表現：

1（μA）= 52 + 13 *（Upit）*（Upit）、

ここで、Usupはボルト（V）単位の供給電圧です。

トランジスタVT2をオフにすると、デバイスが消費する電流が1桁増加します。

ステージ間を直接接続する2ステージULF

直接接続と動作モードの最小選択を備えたULFの例は、図に示す回路です。 11-14。それらは高いゲインと優れた安定性を持っています。

米。 11.マイク用のシンプルな2ステージULF（低ノイズ、高KU）。

米。 12.KT315トランジスタの低周波の2段増幅器。

米。 13.KT315トランジスタの2段低周波増幅器-オプション2。

マイクロフォンアンプ（図11）は、低レベルの固有ノイズと高ゲインが特徴です[MK 5 / 83-XIV]。 VM1マイクは動電型マイクを使用しています。

電話カプセルはマイクとしても機能します。 図1の増幅器の動作点（入力トランジスタに基づく初期バイアス）の安定化。 11〜13は、第2増幅段のエミッタ抵抗両端の電圧降下により実行されます。

米。 14.電界効果トランジスタを備えた2段ULF。

入力インピーダンスが高い（約1MΩ）増幅器（図14）は、電界効果トランジスタVT1（ソースフォロワ）とバイポーラトランジスタVT2（共通のもの）で作られています。

入力インピーダンスも高いカスケード低周波電界効果トランジスタ増幅器を図1に示します。 15。

米。 15.2つの電界効果トランジスタ上の単純な2段ULFの回路。

低オーム負荷で動作するためのULF回路

低インピーダンス負荷で動作するように設計され、出力電力が数十mW以上の典型的なULFを図に示します。 16、17。

米。 16.低抵抗の負荷を含めて動作するシンプルなULF。

VA1動電型ヘッドは、図に示すように、アンプ出力に接続できます。 16、または橋の対角線上（図17）。 電源が2つの直列接続されたバッテリー（アキュムレーター）で構成されている場合、スキームに従ったBA1ヘッドの右側の出力は、コンデンサーСЗ、С4なしでそれらの中点に直接接続できます。

米。 17.ブリッジの対角線に低インピーダンス負荷を含む低周波増幅器回路。

単純なチューブULFの回路が必要な場合は、そのようなアンプを1つのランプでも組み立てることができます。該当するセクションの電子機器のWebサイトを参照してください。

文学：Shustov M.A. Practical Circuitry（Book 1）、2003年。

出版物の訂正：図の 図１６および１７では、ダイオードＤ９の代わりに、ダイオードのチェーンが取り付けられている。

最近、ある人が、十分な電力の増幅器を組み立てて、低、中、高周波数用に増幅チャネルを分離するように要求しました。 その前に、私はすでに実験として何度も自分自身のために収集していました、そして、私は言わなければならない、実験は非常に成功しました。 それほど高くない安価なスピーカーでさえ、例えばスピーカー自体にパッシブフィルターを使用するオプションと比較して、音質が著しく改善されています。 さらに、帯域のセクションの周波数と個々の帯域のゲインを非常に簡単に変更できるようになるため、音響増幅パス全体の均一な周波数応答を実現しやすくなります。 アンプには、よりシンプルな設計で複数回テストされた既製の回路が使用されました。

構造スキーム

次の図は、チャネル1の回路を示しています。

図からわかるように、アンプには3つの入力があり、そのうちの1つは、ビニールプレーヤー用のプリアンプイコライザー（必要な場合）、入力スイッチ、プリアンプティンバー（これも3バンド）を追加する簡単な可能性を提供します。 、調整可能なHF / MF / LFレベル付き）、ボリュームコントロール、フィルタリングをオフにする機能を備えた各バンドの調整可能なゲインを備えた3バンドフィルターユニット、高出力ファイナルアンプ（安定化されていない）用の電源、およびスタビライザー「低電流」部分（予備増幅段階）用。

プリアンプ-音色ブロック

そのため、以前に複数回テストされたスキームが使用されました。これは、その単純さと部品の入手可能性により、かなり良好な特性を示しています。 このスキームは（その後のすべてのスキームと同様に）一度は雑誌「ラジオ」に掲載され、その後インターネット上のさまざまなサイトに複数回掲載されました。

DA1の入力段にはゲインレベルスイッチ（-10; 0; +10 dB）が含まれており、アンプ全体をさまざまなレベルの信号源と簡単に一致させることができ、トーンコントロールはDA2に直接組み込まれています。 回路は特定の範囲の要素定格に気まぐれではなく、調整を必要としません。 オペアンプとしては、アンプのサウンドパスで使用されている任意のマイクロ回路を使用できます。たとえば、ここ（および後続の回路）では、BA4558、TL072、およびLM2904をインポートしてみました。 いずれでもかまいませんが、もちろん、ノイズレベルが最小で高速（入力電圧スルーレート）のオペアンプオプションを選択することをお勧めします。 これらのパラメータは、参考書（データシート）に記載されています。 もちろん、ここではこの特定のスキームを使用する必要はまったくありません。たとえば、3バンドではなく、通常の（標準の）2バンドトーンブロックを作成することは非常に可能です。 しかし、「受動」回路ではなく、トランジスタまたはオペアンプの入力と出力で増幅マッチングの段階があります。

フィルターブロック

マルチバンドアンプのトピックに関する出版物が十分にあるので、必要に応じて、多くのフィルター回路を見つけることもできます。 このタスクを容易にするために、たとえば、さまざまなソースで見つかったいくつかの可能なスキームをここに示します。

-クロスオーバーの周波数がまさに「顧客」が必要とするものであることが判明したため、このアンプで私が適用した回路-500Hzと5kHzであり、何も再計算する必要はありませんでした。

-オペアンプでよりシンプルな2番目のスキーム。

そして、トランジスタに関するもう1つの可能な回路：

あなたがすでに書いたように、私は最初のスキームを選びました。それは、バンドのフィルタリングがかなり高品質であり、バンド分離周波数が特定の周波数に対応しているためです。 各チャネル（ストリップ）の出力にのみ、単純なゲイン制御が追加されました（たとえば、3番目の回路のトランジスタで行われているように）。 レギュレーターは30〜100kOhmで供給できます。 すべての回路のオペアンプとトランジスタは、最新のインポートされたものと交換できます（ピン配置を考慮に入れてください！）。最良の回路パラメータを取得するために。 クロスオーバーの周波数を変更する必要がない場合、これらの回路はすべてチューニングを必要としません。 残念ながら、回路で「既製」の例が検索され、詳細な説明が添付されていないため、セクションのこれらの周波数の再計算に関する情報を提供することはできません。

フィルタブロック回路（3つの最初の回路）では、MFチャネルとHFチャネルのフィルタリングをオフにする機能が追加されました。 このために、P2Kタイプの2つの押しボタンスイッチが取り付けられました。これにより、フィルター入力の接続ポイント（R10C9とそれに対応する出力）を簡単に閉じることができます。「高周波出力」と「中周波出力」 "。 この場合、完全なオーディオ信号がこれらのチャネルを介して送信されます。

パワーアンプ

フィルタの各チャネルの出力から、HF-MF-LF信号がパワーアンプの入力に供給されます。パワーアンプは、アンプ全体の必要なパワーに応じて、既知のスキームのいずれかに従って組み立てることもできます。 UMZCHは、雑誌「ラジオ」、1991年第3号、51ページの有名なスキームに従って作成しました。 このスキームについては、その「品質」を理由に多くの意見や論争があるため、ここで「一次資料」へのリンクを示します。 事実、これは一見、クロスオーバー歪みの必然的な存在を伴うクラスBアンプ回路ですが、そうではありません。 この回路は出力段トランジスタの電流制御を使用しているため、通常の標準接続でこれらの欠点を取り除くことができます。 同時に、回路は非常にシンプルで、使用する部品にとって重要ではなく、トランジスタでもパラメータに関して特別な事前選択を必要としません。さらに、この回路は、強力な出力トランジスタを1つのヒートに取り付けることができるという点で便利です。コレクターのリード線は「出力」のポイントに接続されているため、絶縁ガスケットなしでペアでシンクします。これにより、アンプの設置が大幅に簡素化されます。

セットアップするときは、（抵抗R7R8を選択することにより）プレターミナルステージのトランジスタの正しい動作モードを選択することだけが重要です-これらのトランジスタのベースで「レスト」モードで、出力（スピーカー）に負荷がありません）0.4〜0.6ボルト以内の電圧が必要です。 このようなアンプの電源電圧（それぞれ6つあるはずです）は、出力トランジスタを2SA1943と2SC5200に置き換えることで、32ボルトに上げられ、抵抗R10R12の抵抗も1.5kΩに上げる必要があります（「入力オペアンプの回路電源のツェナーダイオードの「寿命が楽になります」）。 オペアンプもVA4558に置き換えられたため、「ゼロ設定」回路は不要になり（図の出力2および6）、それに応じて、マイクロ回路がはんだ付けされるとピン配置が変化します。 その結果、テストした場合、このスキームに従った各増幅器は、ラジエーターを完全に適切な程度に加熱して、最大150ワット（短時間）の電力を生成しました。

ULF電源

整流器とフィルターのブロックを備えた2つの変圧器が、通常の標準スキームに従って電源ユニットとして使用されました。 低周波数帯域チャネル（左および右チャネル）に電力を供給するために-250ワットの変圧器、MBR2560などのダイオードアセンブリの整流器、および各電源アームに40,000マイクロファラッドx50ボルトのコンデンサ。 MFおよびHFチャネルの場合-350ワットの変圧器（燃え尽きたヤマハ受信機から取得）、整流器-TS6P06Gダイオードアセンブリおよびフィルター-25,000マイクロファラッドx各パワーアームの63ボルトの2つのコンデンサ。 フィルタのすべての電解コンデンサは、1μFx63ボルトの容量のフィルムコンデンサでシャントされています。

一般に、電源はもちろん1つの変圧器を使用できますが、対応する電力を使用できます。 この場合のアンプ全体の電力は、電源の能力によってのみ決定されます。 すべてのプリアンプ（トーンブロック、フィルター）もこれらの変圧器の1つから電力を供給されます（それらのいずれかから可能です）が、KRENタイプMCで組み立てられた（またはインポートされた）バイポーラスタビライザーの追加ブロックを介して、またはトランジスタの標準回路。

自家製アンプの設計

適切な既製のケースがなく、可能なオプションを発明しなければならなかったので、これはおそらく製造で最も困難な瞬間でした:-)）たくさんの別々のラジエーターを彫刻しないために、私はラジエーターを使用することにしました車の4チャンネルアンプの場合、かなり大きく、次のようなものです。

もちろん、すべての「内部」が抽出され、レイアウトは次のようになりました（残念ながら私は写真を撮りませんでした）：

-ご覧のとおり、このラジエーターカバーには6つの端子UMZCHボードとプリアンプボードが取り付けられています。 フィルターブロックボードが合わなくなったので、アルミコーナーから追加した構造に固定しました（図で確認できます）。 また、この「フレーム」には、変圧器、整流器、電源フィルターが取り付けられていました。

すべてのスイッチとコントロールを備えた正面図は次のようになります。

背面図、スピーカー出力パッドとヒューズボックス付き（設計のスペースが不足しているため、回路を複雑にしないために電子保護回路が作成されていないため）：

その後、コーナーからのフレームはもちろん装飾パネルで閉じて商品をより「市場性のある」外観にすることになっていますが、これは「顧客」自身の好みに応じて行われます。 一般的に、音質とパワーの点で、デザインはかなりまともであることが判明しました。 資料の作者：Andrey Baryshev（特にサイト用） サイト).

電子機器の基礎を習得した後、アマチュア無線の初心者は彼の最初の電子機器の設計をはんだ付けする準備ができています。 オーディオパワーアンプは、一般的に最も再現性の高い設計です。 スキームはたくさんあり、それぞれパラメータとデザインが異なります。 この記事では、アマチュア無線家がうまく繰り返すことができる、最も単純で完全に機能するアンプ回路のいくつかについて考察します。 この記事では複雑な用語や計算を使用していません。追加の質問が発生しないように、すべてが可能な限り単純化されています。

より強力な回路から始めましょう。
したがって、最初の回路は、よく知られているTDA2003マイクロ回路で作成されます。 これは、4オームの負荷に最大7ワットの出力電力を備えたモノラルアンプです。 このマイクロ回路をオンにするための標準回路には少数のコンポーネントが含まれていると言いたいのですが、数年前にこのマイクロ回路に別の回路を思いつきました。 この方式では、構成部品の数は最小限に抑えられますが、アンプはサウンドパラメータを失っていません。 この回路の開発後、彼はこの回路で低電力スピーカー用のすべてのアンプを作り始めました。

提示されたアンプの回路は、再現可能な周波数の広い範囲を持っており、供給電圧の範囲は4.5から18ボルト（通常12-14ボルト）です。 最大電力が最大10ワットに達するため、マイクロ回路は小さなヒートシンクに取り付けられます。

マイクロ回路は2オームの負荷で動作することができます。つまり、4オームの抵抗を持つ2つのヘッドをアンプ出力に接続できます。
入力コンデンサは、0.01〜4.7μF（好ましくは0.1〜0.47μF）の容量を持つ他のコンデンサと交換できます。フィルムコンデンサとセラミックコンデンサの両方を使用できます。 他のすべてのコンポーネントを交換しないことをお勧めします。

10から47キロオームまでのボリュームコントロール。
マイクロ回路の出力電力により、低電力PCスピーカーで使用できます。 携帯電話などのスタンドアロンスピーカーにマイクロサーキットを使用すると非常に便利です。
アンプは電源を入れた直後に動作し、追加の調整は必要ありません。 マイナス電源をヒートシンクに追加接続することをお勧めします。 すべての電解コンデンサは25ボルトであることが好ましい。

2番目の回路は低電力トランジスタで組み立てられており、ヘッドフォンアンプとしてより適しています。

これはおそらくこの種の最高品質の回路であり、音はクリアで、周波数スペクトル全体が感じられます。 良いヘッドフォンがあれば、完全なサブウーファーを持っているように感じます。

最も安価なオプションとして、KT315シリーズのトランジスタが使用されたため、アンプは3つの逆導通トランジスタのみで組み立てられていますが、その選択肢は十分に広いです。

アンプは最大4オームの低インピーダンス負荷で動作できるため、この回路を使用してプレーヤーやラジオ受信機などの信号を増幅することができます。 電源には9ボルトのクローネ型電池を使用しています。
最終段階では、KT315トランジスタも使用されます。 出力電力を増やすには、KT815トランジスタを使用できますが、その場合は、供給電圧を12ボルトに上げる必要があります。 この場合、アンプの電力は最大1ワットに達します。 出力コンデンサの静電容量は220〜2200μFです。
この回路のトランジスタは加熱されないため、冷却は必要ありません。 より強力な出力トランジスタを使用する場合は、トランジスタごとに小さなヒートシンクが必要になる場合があります。

そして最後に、3番目のスキーム。 同様に単純ですが、実績のあるアンプ構造のバージョンが示されています。 アンプは最大5ボルトの低電圧で動作できます。この場合、PAの出力電力は0.5 W以下になり、12ボルトで電力を供給したときの最大電力は最大2ワットに達します。

アンプの出力段は、国内の相補ペア上に構築されています。 抵抗R2を選択してアンプを調整します。 このため、1kOhmトリマーを使用することをお勧めします。 出力段の静止電流が2〜5 mAになるまで、レギュレータをゆっくりと回転させます。

アンプは入力感度が高くないため、入力前にプリアンプを使用することをお勧めします。

ダイオードは回路で重要な役割を果たします。これは、出力段のモードを安定させるためにここにあります。
出力段のトランジスタは、対応するパラメータの任意の相補ペア、たとえばKT816 / 817に置き換えることができます。 アンプは、6〜8オームの負荷インピーダンスで低電力のスタンドアロンスピーカーを駆動できます。

放射性元素のリスト

指定	の種類	宗派	量	ノート	店	私のノート
	TDA2003チップ上のアンプ
	オーディオアンプ	TDA2003	1			メモ帳に
C1		47 uF x 25V	1			メモ帳に
C2	コンデンサ	100 nF	1	映画		メモ帳に
C3	電解コンデンサ	1μFx25V	1			メモ帳に
C5	電解コンデンサ	470 uF x 16V	1			メモ帳に
R1	抵抗器	100オーム	1			メモ帳に
R2	可変抵抗器	50kΩ	1	10kΩから50kΩ		メモ帳に
Ls1	ダイナミックヘッド	2-4オーム	1			メモ帳に
	トランジスタ回路番号2の増幅器
VT1-VT3	バイポーラトランジスタ	KT315A	3			メモ帳に
C1	電解コンデンサ	1 uF x 16V	1			メモ帳に
C2、C3	電解コンデンサ	1000 uF x 16V	2			メモ帳に
R1、R2	抵抗器	100kΩ	2			メモ帳に
R3	抵抗器	47kオーム	1			メモ帳に
R4	抵抗器	1kΩ	1			メモ帳に
R5	可変抵抗器	50kΩ	1			メモ帳に
R6	抵抗器	3kΩ	1			メモ帳に
	ダイナミックヘッド	2-4オーム	1			メモ帳に
	トランジスタ回路番号3の増幅器
VT2	バイポーラトランジスタ	KT315A	1			メモ帳に
VT3	バイポーラトランジスタ	KT361A	1			メモ帳に
VT4	バイポーラトランジスタ	KT815A	1			メモ帳に
VT5	バイポーラトランジスタ	KT816A	1			メモ帳に
VD1	ダイオード	D18	1	または低電力		メモ帳に
C1、C2、C5	電解コンデンサ	10μFx16V	3